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1.6晶体三极管
第＿＿＿周 课时＿＿＿节 执教者：＿＿＿
一、教学目标
1.知识目标：使学生掌握三极管的结构、符号、类型及其电流的放大作用。2.能力目标：使学生对三极管的内部结构及放大工作原理有更具体的了解及认识。
二、教学重点、难点
（1）使学生掌握三极管的结构、符号、类型及其电流的放大作用。（2）掌握半导体三极管中的电流分配关系；
（3）理解半导体三极管的放大作用，共发射极电路的输入、输出特性曲线，主要参数及温度对参数的影响。
三、教学过程：
（1）.晶体三极管的基本结构和符号：
有3个区――发射区、基区、集电区；
2个结――发射结(BE 结)、集电结(BC 结)；
3个电极――发射极 e(E)、基极 b(B)和集电极 c(C)；
2种类型――PNP 型管和NPN型管。
（2）工艺要求：
发射区掺杂浓度较大；基区很薄且掺杂最少；集电区比发射区体积大且掺杂少。
晶体三极管的符号
箭头：表示发射结加正向电压时的电流方向。
（3）三极管的放大的条件 ：发射结正偏、集电结反偏
从电位的角度看：NPN管，发射结正偏VB>VE；集电结反偏，VC>VB。
PNP管，发射结正偏VB
(4)晶体三极管有三种基本连接方式：共发射极、共基极和共集电极接法。最常用的是共发射极接法。
(5)三极管内电流的分配和放大作用
三极管中电流分配关系如下：
因
很小，则
晶体三极管的电流放大作用-------基极电流微小的变化，引起集电极电流 IC 较大变化。
交流电流放大系数 b——表示三极管放大交流电流的能力
直流电流放大系数
——表示三极管放大直流电流的能力
通常，所以
可表示为
(6)三极管的输入和输出特性: 输入特性曲线：
集射极之间的电压
一定时，发射结电压
与基极电流
之间的关系曲线。特性曲线有如下特点：
1．当
≥2V 时，特性曲线基本重合。
2．当
很小时，等于零，三极管处于截止状态。
3．当
大于门坎电压(硅管约 0.5 V，锗管约 0.2 V)时，逐渐增大，三极管开始导通。
4．三极管导通后，基本不变。硅管约为 0.7 V，锗管约为 0.3 V，称为三极管的导通电压。
5． 与
成非线性关系。
输出特性曲线：
在基极电流 一定时，集、射极之间的电压
与集电极电流的关系曲线
1．截止区
外部条件：发射结反偏或两端电压为零。
工作特点：，管子工作在截止状态。
2．饱和区
外部条件：发射结和集电结均为正偏。
工作特点：，管子工作在饱和状态。
称为饱和管压降，小功率硅管约 0.3 V，锗管约为 0.1 V。
3、放大区
外部条件：发射结正偏和集电结反偏。工作特点：Ic保持恒定
(7)三极管的主要参数
1．集电极最大允许电流
三极管工作时，当集电极电流超过时，管子性能将显著下降，并有可能烧坏管子。
2．集电极最大允许耗散功率
当管子集电结两端电压与通过电流的乘积超过此值时，管子性能变坏或烧毁。
3．集电极――发射极间反向击穿电压
管子基极开路时，集电极和发射极之间的最大允许电压。当电压越过此值时，管子将发生电压击穿，若电击穿导致热击穿会损坏管子。
四、教学小结：
三极管的基本概念、结构、工作特性以及电流放大作用。
