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LPC2136是ARM7架构，是32位地址总线和数据总线，可以寻址的范围为2的32次方
=4GB(0x00000000~0xFFFFFFFF)
我们的程序在哪里运行?
还记得我们在做“跑马灯”和“蜂鸣器”两个实验，用ads1.2中建立工程文件的时候有设置三个地址：
RO Base ：0x40000000
RW Base ：0x40001000
Image entry point ：0x40000000
开始没有讲为什么，通过上面的系统存储器映射图解不知大家是否有所悟。LPC2136内部自带32KB RAM和256KB FLASH。
32KB RAM分布在整个CPU存储器空间的0x40000000~0x40007FFF；
256KB FLASH分布在整个CPU存储器空间的0x00000000~0x0003 FFFF；
RO Base是告诉编译系统把编译生成的目标码放在0x40000000起始的位置，也就是代码段存放在0x40000000开始的位置。
RW Base告诉编译系统把各种变量(常量放在RO开始的位置)，堆栈放在0x40001000起始的位置。
Image entry point：是告诉编译系统程序入口点在0x40000000，即程序从这个地址开始执行。(此部分在附录二中细说)
Flash与RAM的区别
通过以上所说，好像FLASH在这里没什么用，如果你的RO地址定位在RAM中，那么FLASH确实没有用。但FLASH是必须的功能部件。
Flash的作用也许要从其与RAM的区别说起：
区别一：RAM是易失性存储器，Flash是非易失性存储器。通俗的说，存储在RAM中的数据掉电后数据丢失；而存储在FLASH中的数据掉电后任然保持。(必须通过工具或特殊命令来擦除)
区别二：RAM是可读写存储器，Flash只读存储器。(也许有人要问，Flash难道不能写吗？Flash可以写，但不能象RAM一样做简单赋值操作，必须通过Flash写命令写，而且写入数据的最小单位为512字节，即一个扇区)
区别三：RAM访问速度快，而Flash访问速度慢的多。
区别四：RAM价格昂贵，Flash便宜。
FLASH有何用途
我们一般在调试程序的时候为了提高开发进度，都把程序放在RAM中调试，在RAM中调试有一个缺陷就是每次上电必须下载程序到板子上，当产品的各个模块调试OK，产品就要实现脱机功能，即把程序烧写到FLASH中，这样就不需要每次上电加载程序。我们手中拿的手机，在开发阶段都是在RAM(SDRAM)中调试的，开发完成，要发布的时候就把程序烧到FLASH，这样我们开机有能运行FLASH的程序。
