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半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。
半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。
半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移
常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。
本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。
半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。
本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。
其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。
载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。
内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。
在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。
外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。
PN结的单向导电性。
正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流
双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
（NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压：
放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。
一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。
单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。
Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力)
一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。
差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。
Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝
集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。
集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移
理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。
引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。
负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。
正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R
电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。
电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。
三点式电路的判断：射同余反。
功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0）
直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。
三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路
特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。
半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。
半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。
半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移
常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。
本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。
半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。
本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。
其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。
载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。
内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。
在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。
外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。
PN结的单向导电性。
正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流
双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
（NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压：
放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。
一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。
单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。
Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力)
一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。
差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。
Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝
集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。
集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移
理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。
引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。
负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。
正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R
电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。
电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。
三点式电路的判断：射同余反。
功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0）
直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。
三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路
特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。
半导体的特性：呈电中性、热敏性、湿敏性、掺杂性。
半导体的分类：本征半导体、杂质半导体。纯净的不含其他杂质的半导体称为本征半导体，其导电能力很弱。
半导体中存在两种载流子：带负电的自由电子和带正电的空穴。载流子的特点：多子扩散，少子漂移
常温下，由于热激发使一些价电子获得足够的能量而脱离共价键的束缚，成为“自由电子”，同时在原来的共价键中留下一个空位，称为“空穴”。
本征半导体中存在数量相等的两种载流子，即“电子空穴对”。
半导体的导电能力取决于载流子的浓度，但本征激发产生的载流子浓度很低。
本征半导体中载流子的浓度决定因素：材料本身性质和温度（呈指数关系）。温度越高，载流子的浓度越高，本征半导体的导电能力越强。杂质半导体：在本征半导体中掺入微量的杂质，会使半导体的导电性能发生显著的变化。
其原因是掺杂后的半导体，某种载流子的浓度会大大增加。使自由电子浓度大大增加的杂质半导体称为N（加入+5价杂质施主原子）型半导体（电子型半导体，多子是自由电子，少子是空穴，杂质越多，自由电子越多，导电能力越强），使空穴浓度大大增加的杂质半导体称为P（+3价受主原子）型半导体（空穴型半导体）。
载流子的运动：多子扩散，少子漂移。两者分别受浓度和温度的影响。扩散运动：由于载流子的浓度差而产生的运动。漂移运动：载流子在电场的作用下而产生的运动。在同一片半导体基片上，用不同的掺杂工艺使其一边形成P型半导体，另一边形成N型半导体，则在两种半导体的交界面将形成PN结。PN结是多子扩散和少子漂移达到动态平衡的结果。
扩散和漂移这一对相反的运动最终达到动态平衡，使空间电荷区的宽度不再变化，即形成了PN结（空间电荷区）。由于空间电荷区内缺少可以自由运动的载流子，所以又称为耗尽层。
内电场的方向是：N区指向P区，其作用是阻止多子扩散、促进少子漂移。
在PN结上外加一个正向电压，正极接P区，称为正向偏置。反之称为反向偏置。
外电场对内电场的作用：正向削弱，反向增强。对电荷区的影响：正向变窄。
PN结的单向导电性。
正向偏置:多子的扩散加强，形成较大的正向电流。反向偏置:少子的漂移加强，但只能形成很小的反向电流
双极型三极管在放大区的条件：内部条件：发射区高掺杂，基区很薄，集电极面积宽；外部条件：发射结正偏，集电结反偏。
（NPN:Uc>Ub>Ue）温度上升10°C，Ic升高（Icbo增加一倍，Iceo=(1+β)Icbo）.截止区：发射结和集电结反偏。饱和区：发射结和集电结正偏。导通电压：死区电压：
放大电路放大的本质是：能量的控制和转换。前提是：保征。单管共发射极放大电路，基极偏置电路的作用是：隔直通交。
一些电子设备在常温下能够正常工作，但当温度升高时，性能就可能不稳定，产生这种现象的主要原因，是电子器件的参数受温度影响而发生改变。温度升高时，静态工作点移近饱和区，使输出波形产生严重的饱和失真。
单管共集电路（射极跟随器）的特点：①电压放大倍数小于1但接近1，输出电压与输入电压极性相同。②输入阻抗高③输出阻抗低④有电流放大作用，也有功率放大⑤输出与输入隔离效果好。
Ai=Uo/Ui（电压放大倍数，输出电压与输入电压之比）Ri=Ui/Ii(输入电阻，描述放大电路对信号源索取电流的大小)Ro(输出电阻，表征放大电路带负载的能力)
一、集成运放的电路结构特点1.直接耦合 2.差动放大作输入级 3.采用电流源4.采用复合管 5.用复杂电路实现高性能的放大电路，因为电路复杂并不增加制作工序。
差模信号：两个输入信号大小相等、在输入端极性相反。
Kcmrr=|Aud/Auc|(共模抑制比，差动放大器抑制共模的能力)Kcmrr=20Log|Aud/Auc|单位：分贝
集成运放，是具有高放大倍数的集成电路。它的内部是直接耦合的多级放大器，整个电路可分为偏置电路、输入级、中间级、输出级三部分。输入级采用差分放大电路，输入电阻高以消除零点漂移和抑制干扰；中间级一般采用共发射极电路，以获得足够高的电压增益，其作用是提高运算放大器的电压放大倍数；输出级一般采用互补对称功放电路，以输出足够大的电压和电流，其输出电阻小，负载能力强。偏置电路为各级提供合适的静态工作电流。
集成运放输入输出有四种组态，双出的好。理想集成运放的特点:输入阻抗无穷大，输入电流为零；失调电压为零；开环电压放大倍数：Avo无穷；输入阻抗无限高；输出阻抗低到0；无限宽的带宽增益；宽输入电压从0到无限；无噪声；无失真；无温度漂移
理想运放的特点：差模电压放大倍数（Aud）无穷大；共模抑制比（Kcmrr）无穷大；输入电阻无穷大；输出电阻=0；输入偏置电流Iib=0；输入失调电流Iio= 0；输入失调电压为0；无限宽的带宽增益（Fh）。运放不加反馈称为开环，此时的电压放大倍数称为开环增益。常用分贝表示20Log|Audo|。
引入反馈的原则：1稳定静态工作点引入直流负反馈2；改善交流性能引入交流负反馈；3稳定输出电压引入电压负反馈；4稳定输出电流引入电流负反馈；5增大输入电阻引入串联负反馈；6减小输入电阻引入并联负反馈。自激振荡的条件是：AF=—1，幅度条件是：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+(2n+1)π(所有AF上均有小黑点)。
负反馈对放大电路的影响：串联负反馈使Ri增大，并联使之减小；电压负反馈使Ro减小。
正弦振荡平衡条件：|AF|=1，相位条件是：argAF=Ψa+ψf=+2nπ，起振条件是|A|>3，Rf>2R
电容三点式，优点：输出波形好，接近于正弦波；因晶体管的输入输出电容与回路电容并联，可适当增加回路电容提高稳定性；工作频率较高。缺点：调整频率困难，起振困难。
电感三点式，优点：起振容易，调整方便。缺点：输出波形不好；在频率较高时，不易起振。
三点式电路的判断：射同余反。
功放分类：甲类（输入信号在整个周期类都有电流流过三极管），乙类（只有半个周期Ic>0）,甲乙类（有半个以上周期Ic>0）
直流电源的组成：电源变压器—整流电路—滤波器---稳压电路，作用：电源变压器—降压；整流电路—把交流电变为单方向的直流电，但是其幅值变化很大，我们把这种直流电叫脉动大的直流电；滤波电路—把脉动大的直流电处理为平滑的脉动小的直流电；稳压电路—得到稳定的直流电。
三端集成稳压组成：稳压管、放大电路、基准电源、采样电路、启动电路、保护电路
特点：稳压性能良好，外围元件简单，安装调试方便，价格低廉。
