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一、2010年国内区熔硅单晶行业发展概况 区熔硅单晶也称区熔硅单晶，是电子信息材料中最基础性材料，属半导体材料类。区熔
硅单晶是电力电子器件的关键材料。区熔硅单晶是较一般电子级单晶硅具有更高纯度和更高
电阻率。区熔硅单晶采用的多晶硅材料成本大大高于直拉单晶硅所用材料，而其产品销售价
格也数倍于直拉单晶。半导体单晶硅材料行业的高速发展，有利于分立器件行业的发展；如
果上行业处于低谷，而分立器件行业没有采取相应的应对策略，则分立器件行业亦将进入 低谷。
二、国内区熔硅单晶行业企业竞争格局
中国市场来说，区熔硅单晶的生产商只有几家。从全球来看，该趋势全球并购也非常明
显，我们认为，未来进一步的整合还会继续。目前全球区熔硅单晶产业集中度已经较高，主
要为日本Shin-EtsuHandotai、小松公司Komatsu（已被Sumco 收购），丹麦TOPSIL、德国
Siltronic（由Wacker Chemie AG 控股）、中环股份（环欧）等五家公司。第二节区熔硅单晶行业产业策
一、产业策
高纯的区熔硅单晶是制作各种探测器、传感器的关键原材料，其市场增长趋势也很明显。
另外采用高阻区熔硅制造微波单片集成电路（MMIC）以及微电子机械系统（MEMS）等高
端微电子器件，被广泛应用于微波通讯、雷达、导航、测控、医学等领域，也显示出巨大的应用前景。区熔硅单晶的具有重要的战略意义，2011 年科技重大专项项目指南中，我们看
到了区熔硅单晶片产业化技术与国产设备研制项目。面向高压大功率IGBT 芯片产品制造需
求，我国研究开发直径150mm 和200mm 区熔硅单晶片产业化技术，形成性能稳定的批量
生产能力；满足1200V－3300V IGBT 芯片产业化对区熔硅单晶的要求和4500－6500V 以上
IGBT 芯片的研制需求。2012 年提供生产线用户考核认证，2013 年形成5000 片/月以上的销
售。研究开发国产区熔单晶炉，2012 年进入生产线考核并通过用户验证，形成批量供货，提供IGBT 材料项目使用。主要产业策如下：
1、调整和振兴规划出台电子信息产业企稳回升态势明朗 2009 年4 月15 日《电子信息产业调整和振兴规划》发布。规划提出，今后三年电子信
息产业要围绕计算机、电子元器件、视听产品、集成电路、新型显示器件、软件、通信设备、信息服务、信息技术应用等9 个重点领域，完成确保骨干产业稳定增长、战略性核心产业实
现突破、通过新应用带动新增长三大任务。
2、3G 牌照发放通信制造业保持平稳发展
工业和信息化部1 月7 日正式宣布，批准中国移动通信集团公司增加基于TD-SCDMA 技术制式的第三代移动通信（3G）业务经营许可，中国电信集团公司增加基于CDMA2000 技
术制式的3G 业务经营许可，中国联合网络通信集团公司增加基于WCDMA 技术制式的3G 业务经营许可。中国电信业全面进入3G 时代。2009 年前10 个月，我国3G 发展总体进展
顺利，3G 用户总数达到977 万，其中中国移动TD 用户达到394 万。
3、物联网等新业态兴起战略性新兴产业成为新增长点
2009 年8 月，家宝总理指示要加快传感网研究，把传感系统和3G 中的TD 技术结合起来，尽快建立“感知中国”中心。9 月，中国传感器网络标准工作组成立。除了物联网以
外，以可再生能源技术、节能减排技术、清洁煤技术及核能技术支撑的新能源产业，以传感
网、物联网关键技术、后IP 时代相关技术支撑的信息网络产业，以微电子及光电子材料和
器件、新型功能材料、高性能结构材料、纳米技术和材料支撑的微电子和光电子材料和器件
产业，以医疗器械关键核心技术支撑的先进医疗设备制造等，逐渐成为战略性新兴产业和新的经济增长点。
下的推动将会直接扩大区熔硅单晶市场需求。从世界范围来讲，我国出台十项措施时
机选得比较好，是对金融危机的危险性看准摸清了火候到了的时候才出手的。我国出台十项
措施对我国的区熔硅单晶行业也是利好，有利于企业自主创新和结构调整，有利于技术进步 和产业升级。
我国的人民币汇率实现了有限的浮动策，人民币的升值压力逐渐释放。我国货币的升
值不可避免的使得进口产品的价格竞争力增加。区熔硅单晶市场的价格目前还处于高位运
行，国内外产商均通过维持市场高价来获取高额利润。如果我国的汇率继续向着人民币升值 的方向发展，将会有利于我国进口。预计未来几年随着我国汇率的调整和人民币的升值，国
内的区熔硅单晶进口价格的下降趋势，这主要体现在我国人民币升值带来的一系列好处。
与此同时，国外市场的疲软，对于国内区熔硅单晶行业来说是一个好机会，引入技术和
设备的成本也比较低，将很好的促进国内区熔硅单晶行业的技术更新和产品改造工作，也降
低了国内区熔硅单晶的成本和价格。
二、技术壁垒
高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单
晶的拉制，最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。由于技术封锁，研制和生产大
直径区熔硅单晶的工艺条件需要摸索，特别是加热线圈结构和拉晶参数。购买国际先进的技
术仪器，仿效学习并研发出自己的技术，前期购买仪器成本太高，一般的小型公司难以承担
先进的Typ-FZ 系列仪器高昂的价格。因此，国内企业只有在生产中不停地摸索，克服技术
壁垒，逐步研发并填补我国大直径区熔硅单晶生产技术的空白。
在半导体单晶硅材料产业链中，多晶硅是生产硅单晶的原料，是半导体器件的上基础
材料。2006 年国内包括半导体器件和硅晶体太阳能电池的多晶硅年需量超过10,000 吨，而
国内的生产能力仅为300 吨/年左右，因此多晶硅材料绝大部分依赖进口。单晶硅材料的支
撑体系薄弱，所需的关键设备和检测仪器主要依赖进口，形成了产品更新一代就必须从国外
引进新一代设备的局面，这就客观上加大了产业发展的投入，在一定程度上制约了国内半导
体材料企业的发展。
三、人民币升值影响分析
我国的人民币汇率实现了有限的浮动策，人民币的升值压力逐渐释放。我国货币的升
值不可避免的使得进口产品的价格竞争力增加。区熔单晶硅市场的价格目前还处于高位运
行，国内外产商均通过维持市场高价来获取高额利润。如果我国的汇率继续向着人民币升值的方向发展，将会有利于我国进口。预计未来几年随着我国汇率的调整和人民币的升值，国
内的区熔单晶硅进口价格的下降趋势，这主要体现在我国人民币升值带来的一系列好处。与此同时，国外市场的疲软，对于国内区熔单晶硅行业来说是一个好机会，引入技术和
设备的成本也比较低，将很好的促进国内区熔单晶硅行业的技术更新和产品改造工作，也降
低了国内区熔单晶硅的成本和价格。第三节区熔硅单晶产品供求格局
一、2008-2010年区熔硅单晶市场产品总产量统计
2005-2008 年，我国区熔硅单晶行业产量呈现快速增长的趋势，2009 年产量有所下降，2005 年产量为71 吨，2006 年为76.31 吨，增速为7.48％，到了2009 年为71.54 吨，增长率
比2008 年下降了16.53％，2010 年1-5 月份为39.12 吨。同比增长率为8.42％.、2008-2009年区熔硅单晶市场细分产品产量统计
区熔硅单晶目前的主要应用产品包括2 种：气相掺杂（Gas Dopsiton）和中子嬗变掺杂
（NTD）。其中GD 目前市场规模约占区熔硅总体规模的80％左右，主要的应用领域为传统
电子电力器件，特别是高压大功率器件，400V 以上电压产品等；NTD 规模约占20％左右，主要应用于铁路、电站以及由新型能源技术所推动的变压变频器件应用中。前者受电源管理
等市场的节能需求的推动；后者由于铁路、电厂的大规模建设以及新型能源如风能发电等市
场的发展，目前有较快的市场增长。
2005 年GD 产量为58.22 吨，NTD 为12.78 吨，到了2009 年GD 产量为58.92 吨，NTD 为12.62 吨。2010 年1-5 月份GD 与NTD 分别31.92 吨7.2 吨。2009 年之前，产量均保持
了较为平稳的增长趋势。
第四节区熔硅单晶行业产业链构成模型分析
一、区熔硅单晶行业产业链构成产业链即从一种或几种资源通过若干产业层次不断向下产业转移直至到达消费者的路径，它包含四层含义：一是产业链是产业层次的表达；二是产业链是产业关联程度的表达；
产业关联性越强，链条越紧密，资源的配置效率也越高；三是产业链是资源加工深度的表达； 产业链越长，表明加工可以达到的深度越深；四是产业链是满足需求程度的表达。产业链始
于自然资源、止于消费市场，但起点和终点并非固定不变。
区熔硅单晶产业链结构分析：上原材料供应商，中区熔硅单晶生产厂家，下大功 率器件、电力机车的牵引系统等相关区熔硅单晶消费者，此外还有贯穿产业链的物流配送厂 家等。、区熔硅单晶行业产业链模型分析
1、上原材料供应
单晶硅由多晶硅制得，而近几年，太阳能电池产业快速发展，多晶硅供应急剧增加。2008 年国内多晶硅产量超过4500 吨，产能超过1 万吨。根据最新的统计数据显示，我国目前在建和筹建的多晶硅项目总能将接近8 万吨，而需求量仅为4.6 万吨，如果产能全部释放，将
过剩近一半的多晶硅产品。
2009 年9 月26 日，国务院转发国家发改委、工业和信息化部等10 部委《关于抑制部
分行业产能过剩和重复建设引导产业健康发展的若干意见》（以下简称38 号文），正式将多
晶硅列入产能过剩和重复建设行业的“黑名单”里，各地已被要求收紧多晶硅项目，地方未
建的多晶硅项目也已基本叫停。
产能过剩是下需求转暖未能传导至上的主要原因。我们估计明年全球光伏多晶硅需
求量在6 万吨，而供给量在10 万吨（已扣除半导体行业用量），其中4 万吨来自中国。因此
我们认为多晶硅现货价格还将继续下跌，我们目前假设2010~2011 年均价分别为55 和50 美元/公斤，该假设有下调空间。摆在中国多晶硅企业面前的迫切任务是降成本，途径有二：
一是在现有还原西门子法基础上降成本，例如采用更先进的氢化方法循环利用四氯化硅/二
氯二氢硅、自产三氯氢硅、申请直供电降低电费等等，但该类方法难以将成本降至30 美元
之下；二是采用更先进的还原方法，例如硅烷法可以产生很少副产品，成本可望降低至25 美元甚至更低。
从价格看，多晶硅的价格风光不再，70 美元/公斤现货价格以下已经徘徊数月，生产商的盈利空间进一步被压缩。目前国内技术基本采用改良西门子发，生产成本基本控制在50-60 美元/公斤之间，部分较好企业可以达到40 多美元/公斤，即便如此，产能过剩带来的多晶
硅售价的缓慢回落依然使我们对行业前景堪忧。
从污染和耗能角度看，国内多晶硅项目在现有条件下属于高排放，高污染行业，主要是
对于尾气中四氯化硅、氯化氢的回收率不高。虽然目前，国内企业引进的第三代设备完全可
以做到尾气的闭路回收，现在已经解决了污染的问题，但这需要较高的成本，只有大企业才
能实现，小规模生产企业排放问题依然没有得到有效解决。提高准入标准可以有效控制污染。
下需求
由于半导体用硅片对于纯度要求较高，其生产工艺和难度要远高于太阳能级应用，这就
使得半导体硅片的价格较高。全球硅片材料生产，主要集中在日、美、德三国，其他还有韩
国、马来西亚、芬兰、中国大陆和中国台湾地区。根绝SEMI 数据统计，我国半导体市场需
求呈稳定增长趋势，但是国内厂商受技术约束，半导体级单晶硅供应不足。半导体级别单晶
硅还有较大发展空间。
近年来，中国单晶硅产量明显稳步增长。增长的原因一方面是来自国际上对低档和廉价
硅材料需求的增加；另一方面是近年来中国各方面发展迅速，各类信息家电和通信产品需求
旺盛，因此半导体器件和硅材料的市场需求量都很大。目前世界硅片的主流产品是直径为
200mm-300mm 的硅片，2008 年直径200mm（12 英寸）单晶硅片在硅片占比中为30％。中
国大尺寸单晶硅拉制技术与世界水平有较大差距，能拉制大尺寸单晶的厂商不多。（中环股份为其中龙头）
区熔法可以获得电阻率和纯度都很高的单晶硅。其氧、碳含量较低，载流子浓度较低，电阻较大，在应用领域上较直拉单晶硅有所区别，主要应用于制造高压整流器、晶体闸流管、高压晶体管等高压大功率器件。生产区熔硅单晶的成本较高，并且受到生产技术的限制，大
直径的区熔硅单晶较难获得，其杂质分布均匀性也较直拉法差。目前在所有的硅材料半导体
应用中，区熔硅单晶占比约为6％~8％。
