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2013GCT电子通讯工程专业复试试卷
《半导体器件物理》
一、填空题（共20分）
1、我们把导电性介于和间的材料，叫做半导体。半导体中的载流子为能够导电的自由粒子，包括和。
2、常见的半导体器件包括和两种晶体管
3、场效应晶体管是一种控制器件，仅有载流子参与导电。
4、PN结击穿的机制主要有、等几种（至少写出两种）
二、简答（共40分）
1、MOS场效应晶体管分为哪四种类型？
2、限制晶体管截止频率的有哪四种最重要的因素？
3、基区宽度调变效应？
4、MOS电容随偏压的变化分为哪四个区域？
5、发射极电流集边效应？
三、论述（共20分）
1、晶体管的开关时间分为哪四个部分，如何提高晶体管的开关速度？
2、简述器件尺寸等比例缩小给器件参数带来的影响？
四、谈谈你对集成电路设计包括半导体器件、工艺的看法和认识？
