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本来不打算写这份关于薄膜的猜题资料的，但是今天上完最后的课后感觉有很多收获，有些东西不说还是好像对不起大家，故决定用2个小时的时间给大家总结一下这个薄膜的出题意向；下面就是我今天上课时，从老师的言语猜到的东西； 首先是所有人都听到的题型：
1、问答题：7*9=63分；
2、综合大题：4个问=37分；
接下来就是我猜可能出的问答题：（至于为什么我认为是这样考就不能告诉你们了）
1、真空获得的主要工具是真空泵，请试举出一种低真空泵和一种高真空泵，并试着分析泵的特点；（9分）
2、真空度的测量是由真空规测得的，请试举出一种高真空规和一种低真空规，并说明其测量原理；（9分）
3、真空度对制备薄膜的作用；（9分）Page18 记得结合平均自由程；
4、什么是物理气相沉积（PVD）法？PVD又简单地分为哪几种方法；而其中蒸发镀膜法的原理是什么，蒸发镀膜又有多少种类型，蒸发法的优缺点，一般用于制备什么薄膜；（9分）
5、溅射镀膜的原理和过程，优缺点；重点要强调怎么提高气体离化率；（9分）
6、溅射产额是什么？请举出影响产额大小的因素（3种以上）（9分）
7、什么是CVD？其原理是？而在Si的外延生长中，所利用的热化学过程共有3个类型，是哪三个类型，试各举出具体的化学式；（9分）
8、LPCVD与APCVD相比有什么优缺点；（结合边界层的概念，加以回答）（9分）
9、什么是离子镀，离子束成膜；其优缺点；可以用来制备什么薄膜；（9分）
10、分子束外延的原理及特点；（重点了解Page151的GaAs的原理图）
11、溶胶凝胶法，喷雾热分解法的原理及特点，试举出应用例子
以上的问答题只是本人根据老师的强调重点而命题的，仅可供参考；个人认为前8道题更加有可能出；但也不排除后3道题的可能性；
大题：老师已经强调了只在PECVD和蒸发法中2选一；那我们只能做2手准备了； 四小题分别是：
1、画出示意图：
这个图不管PECVD还是蒸发法都必须画出来，至于离子泵就要看是否有需要加上；画好这个图，并标注各部分就应该有9分；
2、简述PECVD和蒸发法的过程；（9分）
3、PECVD的原理和蒸发法的原理；（9分）
4、PECVD的优缺点或者蒸发法的优缺点；（10分）
至此，分析完毕；能帮到大家的就是这样了，至于题目的答案看来就要大家一起努力了；再次声明，仅供参考！
专注猜题30年，不为名，不为利，只为把每个人都变成胡志荣！
