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半导体器件论文试题（任选5题）
《1月7号前交给班长，要求手写》
1、阐述本征半导体、P型半导体、N型半导体的概念并给出其能带图。
2、论述PN结的构成及其能带图的成因。
3、论述PN结单向导电的成因。
4、论述PN结被击穿的机理。
5、论述PN结电容的分类及内在机制。
6、以NPN型晶体管为例论晶体管的基本结构及其放大原理。
7、以NPN型晶体管为例论述晶体管反向电流的种类及其成因。
8、论述P-N结模型伏安特性偏离理想方程的原因。
9、推导证明本征半导体的费米能级Ei基本在禁带中间。
10、论述MIS结构表面积累、表面耗尽、表面反型的形成机理。
